特許
J-GLOBAL ID：201103028569668765

マグネトロンプラズマ処理装置および処理方法

発明者：
久保田 和宏

久保田 和宏 について

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戸澤 茂樹

戸澤 茂樹 について

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廣瀬 潤

廣瀬 潤 について

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輿石 公

輿石 公 について

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近藤 智美

近藤 智美 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164877
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023958
特許番号：特許第3375302号
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被処理基板が装入可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記一対の電極間の処理空間に、電界方向と直交しかつ一方向に向かう磁場を形成する磁場形成手段とを具備し、前記処理空間に、電極に対して平行に被処理基板が配置された状態で該基板にマグネトロンプラズマ処理を施すマグネトロンプラズマ処理装置であって、前記磁場形成手段は、前記電極間の電界方向に直交する平面内において、磁場方向に直交する方向に沿って、電子ドリフト方向上流側で磁場強度が大きく下流側で磁場強度が小さくなるような磁場強度の勾配を形成し、かつ広範囲から二次電子がドリフトするように、電子ドリフト方向上流側において被処理基板の端部およびその外側部分に沿って等磁場強度領域を形成することを特徴とするマグネトロンプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
C23C 16/507 ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 B
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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