特許
J-GLOBAL ID：201103028779871296
電界放射型電子源およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239063
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068012
特許番号：特許第3487236号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト部と、該強電界ドリフト部上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として直流電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト部をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト部は、導電性基板の厚み方向に沿った埋込穴が形成され高熱伝導性を有する放熱部と、埋込穴に充填され上記電子がドリフトするドリフト部とからなり、ドリフト部は、粒径がナノメータサイズの導電性微粒子と、導電性微粒子の表面を覆う絶縁膜とからなることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 M
, H01J 1/30 M
