特許
J-GLOBAL ID：201103029687334274

電子写真感光体および電子写真装置

発明者：
細井 一人

細井 一人 について

, 
大平 純

大平 純 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-088797
公開番号（公開出願番号）：特開2010-286823
出願日： 2010年04月07日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】 a-Si光導電層とa-SiC表面層との間に複数のa-SiC中間層を設けた場合であっても、a-SiC中間層の層間における剥離が発生しにくい電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供する。【解決手段】 電子写真感光体がa-Si光導電層とa-SiC表面層との間に5層以上のa-SiC中間層からなる変化層を有し、その変化層に含まれるa-SiC中間層の中からC/(Si+C)が0.35〜0.65であるa-SiC中間層の隣り合う2層を選択したとき、光導電層側のa-SiC中間層のC/(Si+C))と表面層側のa-SiC中間層のC/(Si+C)との間の増加率(層間の増加率)が19%以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体と、該基体上のアモルファスシリコンで構成された光導電層と、該光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する電子写真感光体において、 該電子写真感光体が、該光導電層と該表面層との間に、各々が水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された5層以上の中間層からなる変化層をさらに有し、 該変化層に含まれる中間層の各々におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が、最も光導電層側の中間層から最も表面層側の中間層まで単調増加しており、 ケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が0.35以上0.65以下の範囲にある中間層が、該変化層に2層以上含まれており、 該変化層に含まれる中間層のうち、ケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が0.35以上0.65以下の範囲にある中間層の中から隣り合う2層を選択し、該隣り合う2層のうち、光導電層側の中間層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))をAとし、表面層側の中間層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))をBとしたとき、下記式(1) 層間の増加率={(B-A)/A}×100[%] ・・・ (1) で定義される層間の増加率が19%以下であることを、ケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が0.35以上0.65以下の範囲にあるすべての中間層の層間で満足し、 該表面層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が0.61以上0.90以下であり、 該表面層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))が、該変化層に含まれるいずれの中間層におけるケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(C)との和に対する炭素原子の原子数(C)の比(C/(Si+C))よりも大きい ことを特徴とする電子写真感光体。
IPC (1件)：
G03G 5/08
FI (3件)：
G03G5/08 303 ,  G03G5/08 306 ,  G03G5/08 105
Fターム (8件)：
2H068DA05 ,  2H068DA08 ,  2H068DA14 ,  2H068DA15 ,  2H068DA17 ,  2H068DA19 ,  2H068DA23 ,  2H068FA08
引用特許：
出願人引用 (3件)

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