配線基板のビアオンビア構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036210
特許番号：特許第4330713号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導体層と,第2導体層と,それらの間の第1絶縁層と,前記第2導体層の上に被着された第2絶縁層と,前記第2絶縁層の上に形成された第3導体層とを有する配線基板において, 前記第1導体層と前記第2導体層とを導通させるとともに,内部が導電性ペーストで充填された第1ビアと, 前記第2絶縁層にレーザ加工で穴開けして形成された,前記第2導体層と前記第3導体層とを導通させる第2ビアとを有し, 前記第2ビアは,前記第1ビアより大径であるとともに,前記第1ビアの外周の1/2以上を覆って形成されていることを特徴とする配線基板のビアオンビア構造。

IPC (1件)：