シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251482
公開番号（公開出願番号）：特開2001-080992
特許番号：特許第3861524号
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ボロンおよび窒素をドープしたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの表面から少なくとも0.2μmの深さまでの表層部におけるボロン濃度がバルク部のボロン濃度の1/2以下であり、前記表層部における大きさ0.09μm以上の欠陥密度が1.0×104個/cm3以下であり、かつ酸素析出熱処理後の前記バルク部における内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010個/cm3であり、前記シリコンウエーハのバルク部におけるボロン濃度が1×1017個/cm3以上であることを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (2件)：