特許
J-GLOBAL ID:201103030023819341

ドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-394317
公開番号(公開出願番号):特開2002-198352
特許番号:特許第3793020号
出願日: 2000年12月26日
公開日(公表日): 2002年07月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 銅含有アルミニウム膜を塩素系ガスでエッチングするドライエッチング方法であって、銅残さが生じないようにプラズマ反応室内の前記銅含有アルミニウム膜と前記塩素系ガスとの反応生成物である塩化アルミニウムを含む前記塩素系ガスのガス滞在時間を0.15秒から0.3秒に制御し、前記プラズマ反応室内の圧力を、7mTorrから14mTorrの範囲内にして前記塩化アルミニウムと前記銅含有アルミニウム膜中の銅とを反応させて銅塩化アルミニウムを生成しながらエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1件):
H01L 21/302 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 21/302
引用特許:
審査官引用 (3件)

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