特許
J-GLOBAL ID：200903074521642598
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370383
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243077
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】処理室内において、マスクを介してガスプラズマを用いて被処理基板を処理するプラズマ処理方法において、側壁保護膜の付着量を適正化し、該適正化された付着量を被処理基板の中央と端部との間で等しくし、側壁保護膜の面内均一性を維持しながらプラズマ処理する。
請求項（抜粋）：
処理室内において、マスクを介してガスプラズマを用いて被処理基板をエッチング処理するプラズマ処理方法において、前記被処理基板の被エッチング部の側壁に形成される側壁保護膜の面内均一性を維持しながらプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
引用特許：
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