特許
J-GLOBAL ID：200903073860941085

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者：
江利口 浩二

江利口 浩二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303675
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129614
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 エッチングによって形成される凸部の下端とマスクとの寸法変換差を低減し、かつ制御できる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 残存部と開口部とからなるパターンを有するレジスト膜により被エッチング部が被覆された半導体ウエハ10をチャンバ21内に設置し、チャンバ21内にガスを導入し、ドライエッチングを行ってレジスト膜の残存部下方には凸部を開口部下方には凹部をそれぞれ形成する。予め、一定のガス圧力下における寸法変換差とガス流量との関係をデータベース化して記憶しておき、ドライエッチング工程における寸法変換差がレジスト膜の残存部の寸法と被エッチング部の仕上がり寸法との差に等しくなるように、ガス流量を制御する。これにより、レジスト膜寸法のばらつきを解消するようにして、被エッチング部の仕上がり寸法の精度を向上させ、仕上がり寸法のばらつきを低減する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの被エッチング部の上にエッチングマスクを形成するフォトリソグラフィー工程と、上記エッチングマスクの残存部の横方向寸法を測定する工程と、上記測定結果に基づき上記反応室内のガスの圧力及び流量を決定する工程と、上記半導体ウエハを反応室内に設置し、上記反応室内にエッチング用ガスを導入する工程と、上記ガスを用いてドライエッチングを行い、上記被エッチング部における上記エッチングマスクの残存部下方には凸部を上記エッチングマスクの開口部下方には凹部をそれぞれ形成する工程とを備え、上記ドライエッチングを行う工程では、上記ガスの圧力と流量とを決定する工程で決定された条件に従いガスの圧力と流量とを調整することにより、上記ドライエッチングにより発生するエッチング生成物の上記凹部外への排出割合と上記凸部側壁への付着割合とを制御して、上記凸部の下端部と上記エッチングマスクの上記残存部との間における横方向寸法差である寸法変換差を所定範囲に収めることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 F
引用特許：
審査官引用 (6件)
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