特許
J-GLOBAL ID：201103030127214913
半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290375
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110999
特許番号：特許第3541749号
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】強誘電体を用いた容量キャパシタを有する半導体記憶装置であって、一方の電極と他方の電極の間に、記憶装置動作時に比べて長い時間の、または大きな電圧の、またはその両方の、負または正の直流電流もしくは単極パルス電圧を加えることにより、交流電圧を印加したときの分極特性が中心対称ではなく、分極ヒステリシスが正負どちらかの電圧軸方向にシフトした分極特性を示す容量キャパシタを含んでおり、書込み時に前記容量キャパシタに印加される電圧範囲が、一端は絶対値が有限でありかつ符号が前記分極ヒステリシスの電圧シフト方向の符号と同符号な電圧であり、他端はその符号によらず、その絶対値が前記一端の電圧より小さい電圧であることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, G11C 11/22
, G11C 14/00
H01L 27/10 444 C
, G11C 11/22 501 Q
, G11C 11/34 352 A
