特許
J-GLOBAL ID：201103030383494214
プラズマCVD成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹内 澄夫
, 堀 明▲ひこ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269146
特許番号：特許第3595853号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】被処理体上に薄膜を形成するためのプラズマCVD成膜装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設置されたシャワーヘッドと、前記真空チャンバ内に、前記シャワーヘッドと実質的に平行に対向して設置された、前記被処理体を平板状に載置するサセプタと、から成り、前記シャワーヘッドと前記サセプタとの間隔距離が以下の関係を満足し、fd’=(dc’-da’)/da’×100 fd’=1%〜35%ここで、fd’:前記サセプタの前記被処理体に対向する面の中心部の変形率、da’:前記被処理体の外周位置での、前記シャワーヘッドと前記サセプタ間の平均距離、dc’:前記被処理体の中心からda’の距離の点における前記シャワーヘッドと前記サセプタ間の平均距離であり、前記サセプタの前記シャワーヘッドに対向する表面が窪んだ回転面として形成されている、ところの装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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