特許
J-GLOBAL ID：201103030398953797
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197900
特許番号：特許第4041877号
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化合物半導体基板と、
この基板上に設けられた、該基板の形成材料の一部を含み該基板よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる第1層目の量子ドット層と、
この第1層目の量子ドット層上に設けられた、前記基板と同じ大きさの格子定数を有する化合物半導体材料からなる第1の緩衝層と、
この第1の緩衝層上に設けられた、前記基板よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる第2層目以上の量子ドット層と前記基板よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層とを交互に積層してなる多層構造部と、
この多層構造部の最上層の量子ドット層上に設けられた第2の緩衝層と、
この第2の緩衝層上に設けられたクラッド層と、
このクラッド層上に設けられた第1の電極と、
前記基板の前記第1層目の量子ドット層が設けられている側とは反対側に設けられた第2の電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
H01L 29/06 601 D
, H01L 21/20
, H01L 21/203 M
, H01S 5/343
