特許

J-GLOBAL ID：201103030592914158

高周波伝送線路の製造方法

発明者： 町田 克之 ,  永妻 忠夫 ,  ナビル サーリ ,  石井 仁 ,  久良木 億 ,  斎藤 國夫 ,  八木 祥次
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 入戸野 巧 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281033
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102815
特許番号：特許第3457589号
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 所定の間隔をあけて互いに平行に延在するストライプ状の2つの開口部を備えた酸化膜を半導体基板上に形成し、この酸化膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることで、前記半導体基板上に所定の間隔をあけて互いに平行に延在する2つの溝を形成する第1の工程と、前記酸化膜を除去した後で前記2つの溝を犠牲膜で充填して前記半導体基板表面を実質的に平坦な状態とする第2の工程と、前記半導体基板表面に絶縁膜を形成する第3の工程と、前記絶縁膜上に第1の金属薄膜を形成する第4の工程と、前記第1の金属薄膜上の前記2つの溝に挾まれた領域および前記溝の外側に隣接する所定の幅の領域に、前記溝に沿って平行に延在するストライプ状の第1および第2の開口部を備えた第1のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンの第1および第2の開口部底部に露出した前記第1の金属薄膜上にメッキにより第1の金属膜を形成して前記第1および第2の開口部を充填し、前記溝に挾まれた領域に配置される信号線およびその隣に配置されるグランド線を形成する第5の工程と、前記第1のレジストパターンを除去した後で前記第1の金属薄膜の露出している領域を除去する第6の工程と、前記信号線および前記グランド線をマスクとして前記絶縁膜の露出している領域を除去する第7の工程と、前記第7の工程の後で前記犠牲膜を除去する工程とを少なくとも備え、前記第5の工程で、前記第1および第2の開口部底部の幅よりそれぞれ前記第1および第2の開口部を深く形成することを特徴とする高周波用伝送線路の製造方法。

IPC (5件)：

H01P 3/02 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01P 11/00

FI (5件)：

H01P 3/02 ,  H01P 11/00 G ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 R ,  H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 伝送路配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195001   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-368005
  
• 高周波線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-282412   出願人：日本電信電話株式会社
• 誘電体基板および誘電体基板を用いた高周波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-351965   出願人：株式会社リコー
• 特開平4-368005