特許
J-GLOBAL ID：201103030863594359
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351761
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168242
特許番号：特許第3495300号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体チップに形成されたパッシベーション膜から露出する電極パッドが実装基板の対応する各電極に金属バンプを介して接続される半導体装置を製造する製造方法であって、金属板の表面にインナー金属めっきランド部、裏面にアウター金属めっきランド部を夫々形成し、前記電極パッド上に形成された第1導電部材を前記インナー金属めっきランド部に接続し、前記半導体チップと金属板との間に第1絶縁性樹脂を配設し、前記アウター金属めっきランド部をマスクとして前記金属板を選択的にエッチングし、前記アウター及びインナー金属めっきランド部の相互間にポスト状の第2導電部材を形成し、前記第2導電部材先端の前記アウター金属めっきランド部上に前記金属バンプを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 21/56
, H01L 21/60
, H01L 23/31
H01L 21/56 R
, H01L 23/30 B
, H01L 21/92 602 F
