特許
J-GLOBAL ID：200903005277936396

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松熊 茂一

松熊 茂一 について


出願人/特許権者：
川崎製鉄株式会社

川崎製鉄株式会社 について


代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298622
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135675
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップ及びキャリア基板の間の熱膨張隔差により、これらが反って生じる半導体チップやキャリア基板や外部の回路不良や、半導体チップ及びキャリア基板の間や、キャリア基板及び外部の間のハンダ・バンプ等での電気的な接続の不良を低減し、信頼性を向上する。【解決手段】 キャリア基板1を複数の部分基板に分割し、これら部分基板間に、前記半導体チップ及び前記キャリア基板の間の熱膨張隔差による応力を低減するための熱膨張隔差緩和部41を設ける。応力は熱膨張隔差緩和部41に吸収され、これにより不良が低減され、信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体チップを備えると共に、ハンダ・バンプで該半導体チップの接続パッドに接続し該半導体チップを搭載するキャリア基板を備え、該半導体チップから外部に対する接続を該キャリア基板を経由して行なうようにした半導体装置において、ハンダ・バンプを設けた前記キャリア基板を複数の部分基板に分割し、これら部分基板間に、前記半導体チップ及び前記キャリア基板の間の熱膨張隔差による応力を低減するための熱膨張隔差緩和部を設けるようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 F
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-192955   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114576   出願人：株式会社東芝
  • 半導体パッケージ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053201   出願人：株式会社東芝

前のページに戻る

TOP

BOTTOM