特許
J-GLOBAL ID：201103030882391515
MIS半導体装置及び不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058831
特許番号：特許第3357861号
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体から実質的になる下地層と、前記下地層上に配設された絶縁層と、前記絶縁層上に配設された電極と、を具備し、前記下地層と前記電極との間に前記絶縁層が挟まれるMIS半導体装置であって、前記絶縁層は積層された第1及び第2絶縁膜を具備し、前記第1絶縁膜は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物からなる群から選択された材料から実質的になり、前記第2絶縁膜はチタン酸化物から実質的になることと、前記絶縁層は誘電率に基づいてシリコン酸化物に換算した換算膜厚が3nm以下で、且つ前記第1絶縁膜の実際の厚さの前記第2絶縁膜の実際の厚さに対する実膜厚比が0.0088〜6.5の範囲にあるように設定されることと、を特徴とするMIS半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
