特許
J-GLOBAL ID：201103030951617750

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ-素子

発明者：
榊間 博

榊間 博 について

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平本 雅祥

平本 雅祥 について

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松川 望

松川 望 について

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足立 秀明

足立 秀明 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340859
特許番号：特許第4572434号
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】金属膜からなる非磁性層を介して積層された二つの磁性層の積層膜を主構成要素とする磁気抵抗効果素子であって、 一方の前記磁性層が磁化回転抑制層と磁気的に結合して固定層を構成し、 前記一方の磁性層が2層の界面磁性膜と前記2層の界面磁性膜に挟まれたMFe2O4磁性膜(MはFe,Co,Niから選ばれる1種もしくは2種以上の元素)との積層膜より構成され、 一方の前記界面磁性膜が[磁性膜/非磁性膜/磁性膜]から成り、前記非磁性膜を介して前記二つの磁性膜が反強磁性的に結合し、 前記非磁性層を介して積層された二つの磁性層の積層膜の膜面の主に垂直方向に電流を流す、 磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  G11B 5/39 ( 200 6.01) ,  G11C 11/15 ( 200 6.01) ,  H01F 10/14 ( 200 6.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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