特許
J-GLOBAL ID：201103031243412052

面発光半導体レーザ素子

発明者：
横内 則之

横内 則之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 松下 亮 ,  中澤 昭彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153125
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332812
特許番号：特許第4592873号
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の半導体材料をヘテロ接合して成る一対の反射鏡層構造の間に発光層を配置した層構造が基板の上に形成され、かつ、前記反射鏡層構造に不純物がドーピングされている面発光半導体レーザ素子において、 前記反射鏡層構造を構成する半導体材料がAlGaAsであり、該反射鏡構造のうち前記発光層の近傍に位置する領域における不純物のドーピング濃度が1〜5×1017cm-3、他の領域における不純物のドーピング濃度が0.5〜5×1018cm-3であり、かつ、前記発光層の近傍に位置する領域を構成する半導体材料の相互間における第1のエネルギーギャップ差は、前記他の領域を構成する半導体材料の相互間における第2のエネルギーギャップ差よりも相対的に小さく、前記第1のエネルギーギャップ差と前記第2のエネルギーギャップ差との差が0.2eV以上である、 ことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/183 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/183
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 垂直共振器型面発光半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-032475   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-280693
  • 面発光レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264824   出願人：日本電信電話株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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