特許
J-GLOBAL ID：201103031427078830
検査用パターン及び検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003773
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208581
特許番号：特許第3275304号
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成される検査用パターンであって、前記半導体基板から絶縁された導電性パターンの列、各導電性パターンに対応して配設され前記半導体基板に導通し且つ前記各導電性パターンと絶縁膜を介して夫々接し導電体が埋め込まれたコンタクトホールから成る第1のコンタクト列、及び前記導電性パターンに対応して配設され対応する各導電性パターンに夫々導通し導電体が埋め込まれたコンタクトホールから成る第2のコンタクト列からなる検査対象パターンと、前記半導体基板から絶縁された他の導電性パターンの列、前記他の導電性パターンに対応して配設され前記半導体基板に導通し且つ前記各他の導電性パターンと離れ導電体が埋め込まれたコンタクトホールから成る第3のコンタクト列、及び前記他の導電性パターンに対応して配設され対応する各導電性パターンに夫々導通し導電体が埋め込まれたコンタクトホールから成る第4のコンタクト列からなる比較対象パターンとを備えることを特徴とする検査用パターン。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01R 31/02
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H05K 3/00
H01L 21/66 Y
, G01R 31/02
, H01L 21/28 C
, H05K 3/00 T
, H01L 21/302 J
