特許

J-GLOBAL ID：201103031532084470

窒化物半導体の成長方法

発明者： 山本 高大 ,  林 宏樹 ,  ▲高▼曽根 徹
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-294303
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134948
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板10上に、窒化物半導体の結晶からなる第1凹凸構造30を形成し、該第1凹凸構造30の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第1凹凸構造30上に、窒化物半導体の結晶からなる第2凹凸構造32を形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

気相成長法により、基板上に、窒化物半導体の結晶からなる第1凹凸構造を形成し、該第1凹凸構造の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第1凹凸構造上に、窒化物半導体の結晶からなる第2凹凸構造を形成する窒化物半導体の成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/32 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18

FI (6件)：

H01L21/205 ,  H01S5/343 610 ,  H01S5/323 610 ,  H01L33/00 186 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18

Fターム (50件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DB09 ,  5F045EK26 ,  5F045GH09 ,  5F045HA12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ20 ,  5F173AP05 ,  5F173AQ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• テンプレート基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-143448   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-327478   出願人：スタンレー電気株式会社