特許
J-GLOBAL ID:200903049030098034

テンプレート基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-143448
公開番号(公開出願番号):特開2007-317752
出願日: 2006年05月23日
公開日(公表日): 2007年12月06日
要約:
【課題】製造効率の改善されたテンプレート基板と、その製造方法を提供すること。また、大きな反りの発生が防止されたテンプレート基板と、その製造方法を提供すること。【解決手段】異種基板上に窒化物半導体からなる結晶層を積層してなるテンプレート基板において、該結晶層が横方向成長により形成された結晶を含んでおり、該横方向成長により形成された結晶が、Mgを含む結晶を含んでいる。 Mgの添加は窒化物半導体結晶の横方向成長を促進する効果があるので、テンプレート基板を製造する際に、横方向成長させる窒化物半導体結晶にMgを添加すると、窒化物半導体結晶が異種基板の表面を層状に覆うまでの時間が短かくなるとともに、結晶の横方向の成長速度に対する膜厚方向の成長速度が小さくなるので、より小さな膜厚の窒化物半導体結晶で、異種基板の表面を層状に覆うことが可能となる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
異種基板上に窒化物半導体からなる結晶層を積層してなるテンプレート基板であって、 前記結晶層が、横方向成長により形成された結晶を含んでおり、 該横方向成長により形成された結晶が、Mgを含む結晶を含んでいるテンプレート基板。
IPC (1件):
H01L 21/205
FI (1件):
H01L21/205
Fターム (9件):
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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