特許
J-GLOBAL ID：201103031612642628
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-295255
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134998
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】IGBTとダイオードを有しており、短絡耐量が高い半導体装置を提供する。【解決手段】ダイオード領域20とIGBT領域40を有する半導体基板12を備える半導体装置10。ダイオード領域20内のカソード領域30と、IGBT領域40内のコレクタ領域52は隣接している。半導体基板12の上面には、アノード領域26と導通しているアノード電極22と、エミッタ領域44及びボディ領域46と導通しているエミッタ電極42が形成されている。アノード電極22上からエミッタ電極42上に亘ってはんだ層96が形成されている。カソード領域30とコレクタ領域52の境界部72の上方の半導体基板12の上面と前記境界部72の上方のはんだ層96との間に、絶縁層90、92、94が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイオード領域とIGBT領域を有する半導体基板を備える半導体装置であって、
ダイオード領域内には、
p型であり、半導体基板の上面を含む範囲に形成されているアノード領域と、
n型であり、アノード領域の下側に形成されているダイオードドリフト領域と、
n型であり、ダイオードドリフト領域よりn型不純物濃度が高く、半導体基板の下面を含むダイオードドリフト領域の下側の範囲に形成されているカソード領域、
が形成されており、
IGBT領域内には、
n型であり、半導体基板の上面を含む範囲に形成されているエミッタ領域と、
p型であり、半導体基板の上面を含む範囲及びエミッタ領域の下側の範囲に形成されており、エミッタ領域に接しているボディ領域と、
n型であり、ボディ領域の下側に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されているIGBTドリフト領域と、
p型であり、半導体基板の下面を含むIGBTドリフト領域の下側の範囲に形成されているコレクタ領域と、
エミッタ領域とIGBTドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
が形成されており、
半導体基板の上面には、アノード領域と導通しているアノード電極と、エミッタ領域及びボディ領域と導通しているエミッタ電極が形成されており、
アノード電極上からエミッタ電極上に亘ってはんだ層が形成されており、
カソード領域とコレクタ領域の境界部の上方の半導体基板の上面と前記境界部の上方のはんだ層との間に、絶縁層が形成されている、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 27/04
, H01L 21/336
, H01L 29/861
H01L29/78 655Z
, H01L29/78 652L
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 658H
, H01L29/91 J
