特許
J-GLOBAL ID：201103031759393585

半導体発光素子

発明者：
堀江 秀善

堀江 秀善 について

, 
太田 弘貴

太田 弘貴 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (4件)： 特許業務法人特許事務所サイクス ,  釜田 淳爾 ,  塩澤 寿夫 ,  今村 正純
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034576
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232253
特許番号：特許第3707947号
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する、共振器構造を備えた半導体発光素子において、 該化合物半導体層の端面を形成する第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層の表面が第一不活性化層で被覆されており、該第一不活性化層が第二不活性化層で被覆されており、該第一不活性化層および該第二不活性化層からなる不活性化層が単体元素からなる部分を有し、かつ、該第二不活性化層を構成する少なくとも1つの元素の酸化物の生成エンタルピーの絶対値が該第一不活性化層を構成する少なくとも1つの元素の酸化物の生成エンタルピーの絶対値よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/028 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/028 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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