特許
J-GLOBAL ID：201103031774074917

フレキシブル半導体装置およびその製造方法

発明者：
平野 浩一

平野 浩一 について

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中谷 誠一

中谷 誠一 について

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小川 立夫

小川 立夫 について

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一柳 貴志

一柳 貴志 について

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鈴木 武

鈴木 武 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  江間 晴彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-285471
公開番号（公開出願番号）：特開2011-101030
出願日： 2010年12月22日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：
【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置であって、絶縁膜と、かかる絶縁膜の下面に位置する金属箔をエッチングすることによって形成されたソース電極およびドレイン電極と、絶縁膜の上面の一部に形成された半導体層と、ソース電極およびドレイン電極のそれぞれと、前記半導体層とを電気的に接続する取出し電極パターンと、取出し電極パターンおよび半導体層を封止する封止樹脂層と、封止樹脂層の面のうちソース電極およびドレイン電極が形成された面とは反対側の面に形成されたゲート電極とを備えたフレキシブル半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
可撓性を有するフレキシブル半導体装置であって、 絶縁膜と、 前記絶縁膜の下面に位置する金属箔をエッチングすることによって形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記絶縁膜の上面の一部に形成された半導体層と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極のそれぞれと、前記半導体層とを電気的に接続する取出し電極パターンと、 前記取出し電極パターンおよび前記半導体層を封止する封止樹脂層と、 前記封止樹脂層の面のうち、前記ソース電極および前記ドレイン電極が形成された面とは反対側の面に形成されたゲート電極と を備えた、フレキシブル半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (5件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/04 C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 626C
Fターム (64件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC19 ,  5F038AZ07 ,  5F038CA16 ,  5F038DF01 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ03 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB11 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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