特許
J-GLOBAL ID：201103032141915013
光半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 眞鍋 潔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019438
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223772
特許番号：特許第4022794号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】面指数が(100)であるInP基板にInPと屈折率を異にする三族-五族化合物半導体からなる回折格子用半導体層を堆積する工程と、
次いで、該回折格子用半導体層の局所に回折格子を切って複数条の回折格子部を形成する工程と、
次いで、該複数条の回折格子部を埋め込むと共に該回折格子用半導体層を被覆するInPからなる第一の層を堆積する工程と、
次いで、該第一の層を堆積した際に比較し基板温度を高くして該第一の層上にInPからなる第二の層を堆積する工程とが含まれ、
該第一の層を堆積する工程は、
Inの原料を有機金属、Pの原料をPH3 或いは有機P、キャリヤ・ガスをH2 とする有機金属気相成長法を適用し、且つ、該回折格子用半導体層の回折格子部以外の面指数が(100)の平坦部に於ける成長速度をDR1 〔μm/h〕、キャリヤ・ガスH2 の総流量に対するP原料の流量比をFR〔%〕としたとき、
log10FR≧4.4A・DR1 -1.3(A=2〜3)
の条件を満たして実施されること
を特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/12 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
