特許

J-GLOBAL ID：201103032630230163

研磨方法及び研磨装置

発明者： 佐野 泰久 ,  山内 和人 ,  村田 順二 ,  定國 峻 ,  八木 圭太
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (3件)： 渡邉 勇 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-277942
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146695
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：

【課題】Ga元素等を含有する化合物半導体の基板に対する所望の平坦度を有する表面仕上げを行うのに特に適した研磨方法及び研磨装置を提供し、これによって、例えばGa元素を含有する化合物半導体の基板表面を実用的な加工時間で表面精度高く平坦に加工できるようにする。【解決手段】弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水232の中で、Ga,Al及びInのいずれかを含有する化合物半導体の基板142の表面と、表面の少なくとも基板142と接触する部位に導電性部材264を有する研磨パッド242の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板142の表面を研磨する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水の存在下で、Ga,Al及びInのいずれかを含有する化合物半導体の基板表面と、表面の少なくとも前記基板と接触する部位に導電性部材を有する研磨パッドの該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、前記基板表面を研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/304 621B ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 622C

Fターム (13件)：

5F057AA03 ,  5F057AA24 ,  5F057AA28 ,  5F057BB05 ,  5F057BB07 ,  5F057BB08 ,  5F057DA04 ,  5F057DA08 ,  5F057EA02 ,  5F057EA29 ,  5F057EA31 ,  5F057EB02 ,  5F057EB05