特許
J-GLOBAL ID：201103032844705320
光電変換素子の作成方法、光電変換素子及び光電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高石 橘馬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248176
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324589
特許番号：特許第4518365号
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、前記半導体微粒子を下記一般式(I)により表される化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。
Si(R1)(R2)(R3)(R4) ・・・(I)
一般式(I)中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳香族基、複素環基、-OR5又は-NR6R7を表し、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも1つにピリジル基、4級アンモニウム基及び4級ホスホニウム基からなる群から選ばれる置換基が置換している。ただしR5は水素原子、脂肪族炭化水素基又はシリル基を表し、R6及びR7はそれぞれ脂肪族炭化水素基を表す。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ( 200 6.01)
, H01L 31/04 ( 200 6.01)
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
