特許
J-GLOBAL ID：201103032925026355
ワイヤをウェッジ接合した半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
内藤 俊太
, 田中 久喬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-120333
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308133
特許番号：特許第3764629号
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アルミまたはアルミ合金の電極膜、CuまたはCu合金の電極膜、Al層またはAu層を上層とするCuまたはCu合金の電極膜の上に金合金ボンディングワイヤがウェッジ接合され、その接合部においてワイヤ圧着厚さの最小値Dと電極膜厚tの関係が、4t+2≦D(μm)であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/60 301 D
, H01L 21/60 301 F
