特許

J-GLOBAL ID：201103033012016211

銅相互接続構造の形成方法

発明者： ポウル・ディー・アグネロ ,  リーナ・ピー・ブックウォルター ,  ジョン・ハメル ,  バーバラ・ルーサー ,  アンソニー・ケイ・スタンパー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363949
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200832
特許番号：特許第3398635号
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】銅相互接続構造の形成方法において、(a)銅の層を有する相互接続構造を、H2,N2,NH3,希ガス,およびそれらの混合物からなる群から選ばれた非酸化ガスを使用し、そして3〜6mTorrの圧力,1500〜3000Wの電力,および10〜50sccmのガス流量のもとで発生される還元プラズマに暴露する工程と、(b)前記暴露された銅相互接続構造上に、高密度プラズマ化学気相成長法(HDPCVD)により無機バリア膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/302 100 ,  H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308006   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化ケイ素の金属拡散障壁層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-012429   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-249984   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191804   出願人：富士通株式会社