半導体受光素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：入戸野巧 , 本山泰
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192793
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195807
特許番号：特許第3783903号
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電形を有する第1の半導体層と第2の導電形を有する第2の半導体層及び前記第1の半導体層と第2の半導体層に挟まれた光受光層とからなる受光部分を基板上に設けてなる半導体受光素子において、前記光受光層を除く基板側半導体層及び前記基板の端面の表面側部分、又は前記基板の端面の表面側部分に、表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を、前記光受光層よりなる受光部分に対して有限の長さ離れた所から、前記光受光層がある表面側から逆メサエッチングにより形成し、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：