特許
J-GLOBAL ID：201103033445566283
半導体レーザー装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-058946
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192878
出願日： 2010年03月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】半導体レーザー装置に関して、入出力特性の温度依存性及び出力波長の温度依存性が小さく、出力波長の動的な微調整が可能な半導体レーザー装置を提供すること。【解決手段】構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのp型化合物半導体、n型化合物半導体、p型電極、n型電極、及び各電極と接続された配線と、該化合物半導体に形成されたグレーティング構造と、該半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン板、電気配線と、該化合物半導体と該シリコン板との間に設けられた該半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、該シリコン板を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板とを含むことを特徴とする半導体レーザー装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのp型化合物半導体、n型化合物半導体、p型電極、n型電極、及び各電極と接続された配線と、該化合物半導体に形成されたグレーティング構造と、該半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン板、電気配線と、該化合物半導体と該シリコン板との間に設けられた該半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、該シリコン板を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板と
を含むことを特徴とする半導体レーザー装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F173AA21
, 5F173AB90
, 5F173AD30
, 5F173AF08
, 5F173AH03
, 5F173AK21
, 5F173AQ03
, 5F173AR03
, 5F173MA02
, 5F173MC15
, 5F173MD04
, 5F173MD36
, 5F173SC02
, 5F173SE01
, 5F173SF46
