特許
J-GLOBAL ID：201103034010061380
不揮発性メモリ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-198229
公開番号（公開出願番号）：特開2011-049455
出願日： 2009年08月28日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
【課題】上下部電極間の短絡を防止しながら、高密度記録と動作電流低減を実現する不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置は、基板20と、前記基板20上に形成された下部電極21と、前記下部電極21上に形成された導電性ナノマテリアルを含む抵抗変化層23と、前記抵抗変化層23上に形成された上部電極24と、前記下部電極21と前記抵抗変化層23の間に形成された、前記下部電極21と前記抵抗変化層23の間の電気的導通を確保する導電材22bを分散させた絶縁性バッファ層22と、を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された導電性ナノマテリアルを含む抵抗変化層と、
前記抵抗変化層上に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記抵抗変化層の間に形成された、前記下部電極と前記抵抗変化層の間の電気的導通を確保する導電材を分散させた絶縁性バッファ層と、
を有することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR23
, 5F083PR33
