特許
J-GLOBAL ID：201103034028999327

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
遠藤 剛

遠藤 剛 について

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山本 武雄

山本 武雄 について

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小西 正樹

小西 正樹 について

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藤原 広和

藤原 広和 について

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勝野 高志

勝野 高志 について

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渡辺 行彦

渡辺 行彦 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について

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トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-250576
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096905
出願日： 2009年10月30日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】カーボン膜の除去が必要とならず、かつ、十分にコンタクト抵抗を低抵抗化できるようにする。【解決手段】オーミック電極5を形成するための金属層15の形成前にレーザ光の吸収効果の高いカーボン層14を形成しておき、その上に金属層15を形成してからレーザアニールを行うようにしている。これにより、金属層15を構成する金属がカーボン層14を構成する炭素(C)やn+型基板1を構成するシリコン(Si)または炭素と反応してオーミック電極5が形成されるため、カーボン層14を除去する必要がない。また、レーザアニール時にカーボン層14を用いているため、レーザ光の吸収率を高くすることができ、オーミック電極5のコンタクト抵抗の低抵抗化を十分に行うことが可能となる。したがって、カーボン膜14の除去が必要とならず、かつ、十分にコンタクト抵抗を低抵抗化することが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
炭化珪素(1)の一面(1b)に対し、該一面(1b)とオーミック接触させられるオーミック電極(5)を形成するオーミック電極形成工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 前記炭化珪素(1)の一面(1b)に対してカーボン層(14)を形成する工程と、 前記カーボン層(14)を挟んで前記炭化珪素(1)とは反対側に前記オーミック電極(5)を形成するための金属層(15)を形成する工程と、 前記金属層(15)側からレーザ光を照射することでレーザアニールを行い、前記カーボン層(14)を構成する炭素と前記金属層(15)を構成する金属とを反応させて金属カーバイドを形成し、前記金属層(15)の残部および前記金属カーバイドを有する前記オーミック電極(5)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 D ,  H01L29/48 P
Fターム (19件)：
4M104AA03 ,  4M104BB19 ,  4M104BB24 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD24 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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