特許
J-GLOBAL ID：200903005210800708

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者：
田中 秀明

田中 秀明 について

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星 正勝

星 正勝 について

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下井田 良雄

下井田 良雄 について

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林 哲也

林 哲也 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (2件)： 小林 茂 ,  和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221172
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036135
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】高温下で使用しても、特性劣化が生じない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基体500と、この炭化珪素半導体基体500にヘテロ接合し、炭化珪素とはバンドギャップの異なるヘテロ半導体材料からなるソース領域11と、炭化珪素半導体基体500とソース領域11との接合部に隣接してゲート絶縁膜7を介して配設されたゲート電極8と、ソース領域11に接するように形成されたソース電極9と、炭化珪素半導体基体500と接触するように形成されたカーボンナノチューブ層12と、このカーボンナノチューブ層12を介して炭化珪素半導体基体500と隣接するように形成されたドレイン電極10とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基体と、 前記炭化珪素半導体基体と接触するように形成されたカーボンナノチューブ層と を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L21/28 301Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 654C ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652L ,  H01L21/28 301B
Fターム (12件)：
4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD79 ,  4M104FF02 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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