特許
J-GLOBAL ID：201103034076395255
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068513
特許番号：特許第3523815号
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板側面に露出し、該基板を厚み方向に貫通する複数の側面電極と、前記基板の内方に形成され、前記基板を厚み方向に貫通する複数の貫通電極と、を有する半導体装置において、前記側面電極の近傍で且つ内方に前記貫通電極が対応して配置され、前記側面電極と前記対応して配置される貫通電極とを接続する接続配線が、前記基板の表裏両面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 321
, H01L 23/12
, H01L 29/41
H01L 21/60 321 E
, H01L 23/12 L
, H01L 29/44 B
