高密度半導体装置および該装置用集積回路チップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田村弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091009
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288340
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】高周波・高機能集積回路チップ間の実装部分の高周波にともなう損失を低減するために配線実装部の低インピーダンス化を図った実装部を実現することを目的とする。【構成】集積回路チップ側面上電極パッドにボールバンプを配置し、隣接する集積回路チップ側面電極パッドまたはインナーリードと接合する。【効果】集積回路チップ間の配線を接合材料であるボールバンプのつぶれ高さ程度にすることによってインピーダンスの減少と最小配置を実現し高周波・高密度実装を提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも側面に電極を有することを特徴とする集積回路チップ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 321 , H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/60 321 X , H01L 21/92 602 N

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-320040
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-221606 出願人：株式会社東芝
特開昭58-090733

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