特許
J-GLOBAL ID：201103034240519025
集積高周波回路を有する構成素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 原 謙三
, 木島 隆一
, 圓谷 徹
, 金子 一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-574977
特許番号：特許第3734754号
出願日： 2001年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 発振器コンデンサ(3)を備える共振回路(1)を有し、同調ダイオード(3)によって、その値を所定の周波数領域に調節可能な集積高周波回路を備える構成素子において、
上記共振回路(1)の共振周波数に関して発生する製造誤差を、結合コンデンサ(11)を介して共振回路(1)に連結された電導回路網(12)によって補整でき、
この電導回路網は、連続導線(9・13)間に直列接続された横断ダイオード(17)および横断コンデンサ(18)を有しており、横断コンデンサ(18)は横断ダイオード(17)の陽極に接続されており、これら横断ダイオード(17)および横断コンデンサ(18)を、切り替え可能な直流電圧網(19,20,21)を用いて、発振器コンデンサ(3)に対してそれぞれ並列に配置でき、
上記の連続導線が、結合コンデンサ(11)を介して共振回路に接続された微調整線(13)、および、接地線(9)から構成され、
上記横断ダイオードが、陰極によって上記微調整線(13)に接続されたダイオード(17)であり、
上記横断コンデンサが接地線(9)に接続されたコンデンサ(18)であり、
上記各横断ダイオード(17)の陽極が、直列接続された抵抗器(21)および引き出し抵抗器(19)を介して供給電圧(Vdd)の電位に接続され、抵抗器(21)と引き出し抵抗器(19)との接続部と上記接地線(9)との間にヒューズブリッジ(20)が設けられ、
ヒューズブリッジ(20)が閉じている場合には、横断ダイオード(17)の陽極が接地線(9)の電位となる結果、横断ダイオード(17)に逆バイアスがかかって、高周波工学上、横断ダイオード(17)が静電容量として作用する一方、
ヒューズブリッジ(20)が開いている場合には、抵抗器(21)および引き出し抵抗器(19)を介して供給電圧(Vdd)の電位が横断ダイオード(17)の陽極に与えられる結果、横断ダイオード(17)に順バイアスがかかって、高周波工学上、横断ダイオード(17)が導通状態となることを特徴とする構成素子。
IPC (3件)：
H03B 5/08 ( 200 6.01)
, H03B 5/12 ( 200 6.01)
, H03J 3/20 ( 200 6.01)
H03B 5/08 A
, H03B 5/12 E
, H03J 3/20
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
