経時絶縁破壊特性の予測方法及び予測装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008080
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208580
特許番号：特許第3644284号
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】経時絶縁破壊特性の予測方法であって、複数の絶縁膜試料の絶縁破壊電圧を測定し、前記複数の絶縁膜試料の、絶縁破壊電圧分布を求め、前記絶縁破壊電圧分布から、前記複数の絶縁膜試料の欠陥分布を求め、前記絶縁膜試料の各々の絶縁破壊電圧から各々の絶縁膜試料の薄膜化量を求め、前記欠陥分布と前記各々の絶縁膜試料の薄膜化量との相関から前記欠陥分布を絶縁膜の薄膜化量の関数として決定し、前記絶縁膜の薄膜化量の関数として決定された前記欠陥分布から、任意の面積の絶縁膜について、任意の印加電圧及び任意の温度における経時絶縁破壊特性を予測することを特徴とする経時絶縁破壊特性の予測方法。

IPC (2件)：