特許
J-GLOBAL ID:201103034677341209

半導体パワーモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-000115
公開番号(公開出願番号):特開2002-203940
特許番号:特許第4527292号
出願日: 2001年01月04日
公開日(公表日): 2002年07月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】パワー素子を搭載して回路構成している主回路部と、このパワー素子を制御する制御素子を搭載して回路構成している制御回路部とを樹脂製のケースで囲繞した半導体パワーモジュールにおいて、 前記主回路部の外部接続用主回路端子を前記ケースにインサートすると共に、前記外部接続用主回路端子の一端側を金属ベース板上に載置された絶縁板上に接着して主回路パターンを形成し、該主回路パターン上にパワー素子を搭載したことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2件):
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 25/04 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 電力半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-095047   出願人:シャープ株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-360278   出願人:株式会社日立製作所
  • 電子機器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-141411   出願人:松下電器産業株式会社

前のページに戻る