特許
J-GLOBAL ID：201103034831652379
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150905
特許番号：特許第4476390号
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主表面が{110}面である単結晶半導体基板に熱酸化処理を行い、膜厚が20nm〜50nmである酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜を通して前記単結晶半導体基板中に水素を添加して水素含有層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせ、
第1熱処理により前記単結晶半導体基板を前記水素含有層に沿って分断し、
1050°C〜1150°Cの温度で第2熱処理を行い、
前記支持基板の上の主表面が{110}面である単結晶半導体層を研削し、
前記単結晶半導体層を活性層とする複数のTFTを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 D
, H01L 29/78 620
, H01L 27/12 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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