特許
J-GLOBAL ID:201103034949591617

微小電子デバイス基板アセンブリの機械的又は化学-機械的平面研磨用スラリー、及びかかるスラリーをつくり、それを使用するための方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (10件): 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  竹内 英人 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-568111
特許番号:特許第4083386号
出願日: 1999年08月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1溶液が第2溶液から分離されているとき、液体及び研磨材粒子を有する第1溶液の中の研磨材粒子の凝集体を、第1溶液に機械的エネルギーを付与することによって砕く段階を有し、第1溶液は平面研磨スラリーの第1成分を構成し、第2溶液は平面研磨スラリーの第2成分を構成しており、機械的エネルギーは、凝集体を、所望のサイズ範囲内の小さい凝集体に、又は個々の粒子に砕くのに十分な強度及び期間で付与され、さらに、 粒子の凝集体を砕いた後、第1溶液を第2溶液と混合し、第1溶液と第2溶液との混合物が平面研磨スラリーを形成する段階と、を有する微小電子デバイスの製造において平面研磨スラリーをつくる方法。
IPC (4件):
C09K 3/14 ( 200 6.01) ,  B24B 37/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01)
FI (5件):
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/306 M
引用特許:
審査官引用 (4件)
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