特許
J-GLOBAL ID：201103035017992130

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器

発明者：
牛倉 信一

牛倉 信一 について

, 
勝原 真央

勝原 真央 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-154779
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077500
出願日： 2010年07月07日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】有機半導体層とソース電極/ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を図りながらも微細化プロセスの適用が可能でかつ良好な特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】トップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層17とソース電極21s/ドレイン電極21dとの間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層19を設けた。有機半導体層17の導電型がp型である場合には、コンタクト層19にはアクセプタ性材料が含有されている。コンタクト層19は、有機半導体層17と同一のパターン形状を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機半導体層とソース電極/ドレイン電極との間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層を設けた 薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (8件)：
H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 370
Fターム (41件)：
5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK28 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110NN12 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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