特許
J-GLOBAL ID：200903025541002586

電界効果型トランジスタ

発明者：
野本 和正

野本 和正 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228573
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049577
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース/ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極12と、ゲート絶縁層13と、ソース/ドレイン電極21と、チャネル領域15を構成する有機半導体材料層14とを備え、ソース/ドレイン電極21は、金属から成る導体部22、及び、導体部22を少なくとも部分的に被覆し、不純物がドーピングされた有機導電材料層23から成り、有機導電材料層23を介して、チャネル領域15と導体部22との間の電気的接続が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース/ドレイン電極と、チャネル領域を構成する有機半導体材料層とを備えた電界効果型トランジスタであって、 ソース/ドレイン電極は、 (a)金属から成る導体部、及び、 (b)導体部を少なくとも部分的に被覆し、ドーピング材料がドーピングされた有機導電材料層、 から成り、 チャネル領域は、ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン電極との間に位置する有機半導体材料層の部分から成り、 有機導電材料層を介して、チャネル領域と導体部との間の電気的接続が形成されることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M
Fターム (64件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104GG20 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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