特許
J-GLOBAL ID：200903052913726729

パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者：
山本 裕子

山本 裕子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057482
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286320
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】 本発明のパターン形成方法の一は、光吸収体を含む物質を有する第1の領域を形成し、物質に、光吸収体が吸収する波長のレーザ光を選択的に照射して、物質表面を改質し第2の領域を形成し、第2の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出し、パターンを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光吸収体を含む物質を有する第1の領域を形成し、 前記物質に、前記光吸収体が吸収する波長のレーザ光を選択的に照射して、前記物質表面を改質し第2の領域を形成し、 前記第2の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出し、パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (7件)：
H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (8件)：
H01L21/88 B ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K
Fターム (161件)：
2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA06 ,  2H092KA10 ,  2H092KA11 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA11 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA18 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD61 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH31 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK03 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ52 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ81 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE37 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HM19 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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