特許
J-GLOBAL ID:201103035111911365

熱型センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-050317
公開番号(公開出願番号):特開2000-249584
特許番号:特許第3601993号
出願日: 1999年02月26日
公開日(公表日): 2000年09月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】開口部を有するシリコン基板と、該シリコン基板上に形成され、シリコン基板表面の熱酸化による二酸化シリコンからなる第1の支持膜と、該第1の支持膜上に形成され、前記開口部におけるダイヤフラムを構成する第2の支持膜と、該第2の支持膜のダイヤフラム上に形成され、感熱抵抗材料からなる発熱部とを備え、第1の支持膜は、前記開口部において除去されており、第2の支持膜は、ダイヤフラムに引張り応力が設定されるように、第1の支持膜とは異なる材料で形成されていることを特徴とする熱型センサ。
IPC (1件):
G01F 1/692
FI (1件):
G01F 1/68 104 A
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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