特許

J-GLOBAL ID：201103035208594518

半導体集積回路およびその制御方法

発明者： 富田 浩由 ,  篠▲崎▼ 直治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167576
特許番号：特許第4025488号
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 回路動作を決めるコマンド信号をクロック信号に同期して取り込み、内部コマンド信号として出力するコマンド取り込み回路と、 アドレス信号の内部回路への伝達を、前記コマンド信号を受けて許可し、前記内部コマンド信号の出力または前記コマンド信号を受ける基準タイミングである前記クロック信号の遷移エッジに応答して禁止するアドレススイッチ回路と、 前記アドレススイッチ回路における前記アドレス信号の内部回路への伝達を禁止する期間を可変にするために、前記クロック信号の周波数に応じた値が設定される設定部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

G11C 11/407 ( 200 6.01) ,  G06F 12/00 ( 200 6.01) ,  G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G11C 11/408 ( 200 6.01) ,  G11C 11/401 ( 200 6.01) ,  G11C 29/04 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G11C 11/34 362 S ,  G06F 12/00 564 B ,  G06F 12/16 310 P ,  G11C 11/34 354 B ,  G11C 11/34 371 D ,  G11C 29/00 603 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体記憶装置及びデータ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229808   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175309   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-189931   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置及びデータ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229808   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175309   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社