特許
J-GLOBAL ID：201103035230475387
半導体記憶装置及びその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092038
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285682
特許番号：特許第3868660号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のトランジスタと、このソース電極に一端を、ドレイン電極に他端を接続してなる第1の強誘電体キャパシタとからメモリセルが構成され、このメモリセルが複数個直列接続しメモリセルユニットを構成し、このメモリセルユニットの1端が第2のトランジスタを介してビット線に接続され、他端がプレート線に接続されてメモリセルブロックを構成し、このメモリセルブロックが複数個配置してメモリセルアレイを構成する半導体記憶装置の駆動方法において、前記ビット線を第1の電位に固定しつつ、プレート線電位を第2の電位に上げ、前記第1の強誘電体キャパシタの両端に、第1の電位と第2の電位を印加する第1の動作と、この第1の動作に続いて、前記ビット線をフローティング状態にしつつ、プレート線電位を第2の電位からより高い第3の電位に上げ、前記第1の強誘電体キャパシタの電荷をビット線に読み出す第2の動作を行なうことを特徴とする半導体記憶装置の駆動方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 11/22 501 L
, G11C 11/22 501 H
