半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110995
特許番号：特許第3430080号
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、この基板の表面に形成され一端が外部端子に接続された抵抗素子と、前記基板の表面に形成され前記抵抗素子の他端に接続された第1及び第2の電界効果トランジスタと、を有し、前記第1及び第2の電界効果トランジスタは、夫々、第1導電型の第1及び第2のドレイン拡散層並びに第1及び第2のソース拡散層を有し、前記第1及び第2ドレイン拡散層上には、夫々、第1及び第2のシリサイド膜が形成されており、前記抵抗素子は、前記基板における前記第1のドレイン拡散層と前記第2のドレイン拡散層との間に位置し表面にシリサイド膜が形成されていない環状部分からなり、前記外部端子は、前記基板における前記環状部分の内側に形成されこの環状部分に直接接続された第1導電型拡散層に第3のシリサイド膜を介して接続されており、前記第1及び第2のシリサイド膜は、前記基板における前記環状部分の外側に設けられた第4のシリサイド膜で相互に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8238 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/06 311 , H01L 27/092 , H01L 29/41 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/06 311 A , H01L 27/08 321 H , H01L 27/04 H , H01L 29/44 P , H01L 29/78 301 K

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-190149 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
静電破壊保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-189120 出願人：ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316517 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (3件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-190149 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
静電破壊保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-189120 出願人：ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316517 出願人：セイコーエプソン株式会社

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