特許
J-GLOBAL ID：201103035376113002

アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法

発明者：
田口 富嗣

田口 富嗣 について

, 
樹神 克明

樹神 克明 について

, 
社本 真一

社本 真一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 日本原子力研究開発機構

独立行政法人 日本原子力研究開発機構 について


代理人 (2件)： 高田 幸彦 ,  橋本 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-145980
公開番号（公開出願番号）：特開2011-001226
出願日： 2009年06月19日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：
【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度200°C以下で照射され、その照射量がはじき出し量として1dpa以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、前記多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することを特徴とするアモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
C01B 31/36
FI (1件)：
C01B31/36 601C
Fターム (13件)：
4G146MA14 ,  4G146MB04 ,  4G146MB07 ,  4G146MB18B ,  4G146MB23 ,  4G146MB28 ,  4G146NA01 ,  4G146NA02 ,  4G146NA21 ,  4G146NA24 ,  4G146NB06 ,  4G146NB18 ,  4G146PA09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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