特許
J-GLOBAL ID：200903069639125608
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-107720
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270308
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】本発明は、低温・短時間の処理によって、微粒子触媒を用いることなく選択的にCNTの形成が可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体装置の製造方法であって、(a)SiC1の表面に不純物を導入してアモルファス化する工程と、(b)アモルファスSiC3表面を熱処理することによってSiC1の表面にCNT5を形成する工程と、(c)CNT5を下地として用いて、その上方にさらにCNT5を形成する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
(a)炭化珪素半導体の表面に不純物を導入してアモルファス化する工程と、
(b)前記アモルファス化した前記炭化珪素半導体表面を熱処理することによって前記炭化珪素半導体の表面にカーボンナノチューブを形成する工程と、
(c)前記カーボンナノチューブを下地として用いて、その上方にさらにカーボンナノチューブを形成する工程と、
を備えることを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/78 652M
, H01L29/78 652T
