特許

J-GLOBAL ID：201103035686101993

太陽電池、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュール

発明者： キム,ジョンファン ,  コ,ジフン ,  ユン,ジュファン
出願人/特許権者： エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  南山 知広 ,  河合 章 ,  中村 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-546714
公開番号（公開出願番号）：特表2011-512669
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】本発明は、太陽電池、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールを提供することである。【解決手段】本発明に係る太陽電池は第1不純物がドーピングされた半導体基板と、半導体基板の一表面に配置され第1不純物の伝導型と異なる伝導型を有する第2不純物が第1濃度でドーピングされた第1部分と、第2不純物が第1濃度より高い第2濃度でドーピングされた第2部分を含むエミッタ層と、半導体基板の一表面から半導体基板を貫いて半導体基板の他の表面まで形成され、エミッタ層の第2部分と接触する第1電極及び半導体基板の他の表面に配置され、第1電極と電気的に分離した第2電極を含むことができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1不純物がドーピングされた半導体基板と、 前記半導体基板の第1の表面に配置され、前記第1不純物と異なる伝導性を有する第2不純物が第1濃度でドーピングされた第1部分と、前記第2不純物が前記第1濃度より高い第2濃度でドーピングされた第2部分を含むエミッタ層と、 前記半導体基板の前記第1の表面から前記半導体基板を貫いて前記半導体基板の第2の表面まで形成され、前記エミッタ層の第2部分と接触する第1電極と、 前記半導体基板の前記第2の表面に配置され、前記第1電極と電気的に分離した第2電極と、 を含む太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (5件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB27 ,  5F151DA10 ,  5F151GA14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バックコンタクト型太陽電池とその製造法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-552300   出願人：アドベントソーラー,インク.
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-500027   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ